KSH45H11 晶体管 仙童

双较晶体管 - 双较结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil 

晶体管极性:  PNP    
 

集电极—发射较较大电压 VCEO:  - 80 V    
 

发射较 - 基较电压 VEBO:  - 5 V    
 

集电极—射较饱和电压:  - 1 V    
 

较大直流电集电极电流:  8 A    
 

增益带宽产品fT:  40 MHz    
 

较大工作温度:  + 150 C    
直流集电极/Base Gain hfe Min:  60   
 

最大功率耗散:  20 W   
 

较小工作温度:  - 55 C